Các nhà khoa học phát triển một cấu trúc “điện toán trong bộ nhớ”, thiết kế khớp thần kinh nhân tạo trên cơ sở tụ điện, đơn giản hóa cấu trúc đồng thời tăng hiệu suất tính toán của máy tính thần kinh.
Trong thời đại bùng nổ AI, cần có những giải pháp máy tính
hiệu quả để xử lý và lưu trữ một lượng lớn dữ liệu. Những những thiết kế máy
tính hiện nay đều có những hạn chế hiệu suất.
Những năm gần đây, khoa học máy tính tập trung hát triển của
các kiến trúc máy tính thay thế, mô phỏng bộ não. Những thiết bị này, được gọi
là máy tính cấu trúc thần kinh, phá vỡ nhiều vấn đề liên quan đến kiến trúc
von Neumann truyền thống, có từ năm 1945, bao gồm các bộ xử lý và bộ nhớ.
Những thành phần này tách biệt về vật lý, dữ liệu truyền giữa
các bộ phận này thông qua một tập hợp dây dẫn hoặc vật dẫn, được gọi là “bus bộ
nhớ”. Sự truyền dẫn này làm chậm tốc độ toàn bộ hệ thống tính toán, tiêu thụ điện
năng lớn và khiến hiệu suất của thiết bị thấp.
Các nhà khoa học đã giải quyết vấn đề này, đưa ra thiết kế một
đơn vị tích hợp cả bộ nhớ lưu trữ dữ liệu và bộ xử lý, có tên gọi là “điện toán
trong bộ nhớ”. Với các tế bào bộ nhớ và khối xử lý cấu trúc như tế bào thần
kinh và khớp thần kinh sinh học, kiến trúc mới giải quyết vấn đề khoảng cách
dài phải di chuyển dữ liệu trong những máy tính truyền thống.
Thiết kế “điện toán trong bộ nhớ” xây dựng trên một khái niệm,
được gọi là bộ nhớ trên cơ sở điện trở. Theo khái niệm này, dữ liệu được lưu trữ
và xử lý bằng phương pháp kiểm soát điện trở. Ý tưởng thiết kế cho phép xử lý bộ
nhớ tương tự như não bộ, nhưng các thiết bị có nhược điểm là tổn hao năng lượng
lớn và phải thiết lập một hệ thống phức tạp.
Nhóm nhà khoa học, do Shimeng Yu, PGS kỹ thuật điện và máy
tính thuộc Viện Công nghệ Georgia dẫn đầu đã giải quyết khó khăn này bằng công
trình nghiên cứu phát triển một loại khớp thần kinh nhân tạo điện mới, chạy
trên bộ nhớ sử dụng tụ điện.
Tụ điện ghi và lưu trữ dữ liệu dưới dạng điện tích. Thiết bị
này cần ít năng lượng, không dẫn điện, do đó các điện tích không thể xuyên qua
khớp thần kinh là điện dung đồng thời giải quyết được vấn đề dòng điện rò rỉ ẩn,
một vấn đề kinh niên trong các hệ thống khớp thần kinh nhân tạo trong nhiều
năm.
Giải quyết được vấn đề về dòng rò rỉ ẩn, thiết bị không cần
bộ phận mạch bổ sung, được gọi là “bộ chọn
lọc” làm giảm thiểu rò rỉ. Thiết kế này có mật độ lưu trữ dữ liệu và hiệu suất
nhưng đòi hỏi phải có được vật liệu phù hợp.
Sử dụng oxit hafnium, vật liệu được sử dụng từ lâu trong
ngành công nghiệp bán dẫn, nhóm nghiên cứu đã chế tạo được khớp thần kinh nhân
tạo điện dung. Vật liệu cho thấy điện dung có các giá trị khác nhau tùy thuộc
vào điện tích được lưu trữ trong đó. Do vật liệu được sử dụng rộng rãi, do đó sẽ
đơn giản để thương mại công nghệ này.
Mảng các Điện toán trong bộ nhớ sử dụng tụ điện với khớp thần kinh điện dung.
Khả năng của các khớp thần kinh điện dung dựa trên hafnium mới
đã được chứng minh trong một bài kiểm tra hiệu suất cấp hệ thống ở cấp độ mảng,
cho thấy các ứng dụng tiềm năng trong thế giới thực của nó.
Nhóm nghiên cứu cho
biết: Mặc khớp thần kinh mới thành công ở cấp độ hệ thống, nhưng vẫn cần hoàn
thiện như thu nhỏ xuống một vài 10-100 nanomet. Lớp vảy này mỏng hơn tóc người
khoảng 1000-10000 lần. Đồng thời cũng phải hoàn thiện cấu trúc, kỹ thuật hình học
của các tụ điện để khớp thần kinh hoạt động hiệu quả với trạng thái lưu trữ dữ
liệu độ tin cậy cao. Đồng thời cần tối ưu cấu trúc thiết bị khớp thần kinh điện
dung và mạch, nâng cao hiệu suất Điện toán trong bộ nhớ.